Verfahren zur Herstellung einer Mischschicht mit einem Siliziumwellenleiter und einem Siliziumnitridwellenleiter

EP4133317 Art B1 5. Juni 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, THALES, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4133317
Aktenzeichen: EP21716431
Anmeldetag: 6. April 2021
Veröffentlichung: 5. Juni 2024
Erteilung: 5. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: G02B6/132

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
THALES
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

3.469 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von