Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren dafür und Elektronische Vorrichtung damit

EP4135052 Art A1 15. Februar 2023

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4135052
Aktenzeichen: EP21784634
Anmeldetag: 10. März 2021
Veröffentlichung: 15. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L29/10H01L21/336H01L27/092H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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