Verfahren zur Herstellung einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung mit Rückseitigem Source-Kontakt
EP4136675
Art B1
16. Juli 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4136675
- Aktenzeichen
- EP20931152
- Anmeldetag
- 14. April 2020
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2025
- Erteilung
- 16. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18H01L25/00H10B43/27H10B43/10H10B43/40H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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