Verfahren zur Behandlung von Halbleiterscheiben

EP4139951 Art A1 1. März 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4139951
Aktenzeichen
EP20961913
Anmeldetag
19. November 2020
Veröffentlichung
1. März 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/306H01L21/304H01L21/66H01L21/67B23K26/03H01L21/683// B23K26/53B23K103/00B23K101/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen