Verfahren zur Herstellung einer Dreidimensionalen Halbleitervorrichtung mit Vergrabener Stoppschicht in einem Substrat
EP4139954
Art B1
16. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4139954
- Aktenzeichen
- EP21933642
- Anmeldetag
- 30. März 2021
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2024
- Erteilung
- 16. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L21/265H01L21/762H01L21/20H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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