Halbleiterbauelement mit einer Ni-Haltigen Schicht und Verfahren zur Herstellung davon

EP4140635 Art A1 1. März 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4140635
Aktenzeichen: EP21193956
Anmeldetag: 31. August 2021
Veröffentlichung: 1. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: B23K35/26H01L23/00H01L23/373H01L23/495

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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