Doppelmetall-Gatterstrukturen auf Nanoband-Halbleitervorrichtungen
EP4141920
Art A3
17. Mai 2023
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4141920
- Aktenzeichen
- EP22187914
- Anmeldetag
- 29. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092H01L29/06H01L29/66H01L29/775H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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