Statischer Direktzugriffspeicher (sram) auf dem Chip zur Zwischenspeicherung von Logischen in Physikalische (L2P) Tabellen
EP4147134
Art B1
2. April 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4147134
- Aktenzeichen
- EP21923838
- Anmeldetag
- 8. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Erteilung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F12/06G06F12/08G06F12/02G06F3/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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