Kontaktpads einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
EP4150671
Art B1
19. November 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4150671
- Aktenzeichen
- EP20966417
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 19. November 2025
- Erteilung
- 19. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L25/18H01L25/00// H01L23/00H10B43/27H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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