Kontaktflächen einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP4150672
Art B1
10. September 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4150672
- Aktenzeichen
- EP20964575
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 10. September 2025
- Erteilung
- 10. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B43/30H10B43/50H01L23/00H10B43/10H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank