Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
EP4151782
Art B1
21. Februar 2024
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4151782
- Aktenzeichen
- EP21197148
- Anmeldetag
- 16. September 2021
- Veröffentlichung
- 21. Februar 2024
- Erteilung
- 21. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/00C30B29/06C30B33/02H01L21/322
Abstract
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend in dieser Reihenfolgedas Züchten eines Einkristalls aus Silizium nach der CZ-Methode;das Abtrennen von mindestens einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium vom Einkristall;eine erste, zweite und dritte RTA-Behandlung der Halbleiterscheibe.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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