Kontextuelle Bildung einer Jb-Diode und einer Schottky-Diode in einer Mps-Vorrichtung und Mps-Vorrichtung

EP4152406 Art B1 26. Juni 2024

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4152406
Aktenzeichen
EP22193143
Anmeldetag
31. August 2022
Veröffentlichung
26. Juni 2024
Erteilung
26. Juni 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/06H01L29/267H01L29/66H01L29/872
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

2.334 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen