Verfahren zur Herstellung einer Dielektrischen Schicht, Verfahren zur Herstellung eines Substrats für eine Hochfrequenz-Leiterplatte, Dielektrische Schicht und Substrat für eine Hochfrequenz-Leiterplatte
EP4155052
Art B1
15. Mai 2024
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4155052
- Aktenzeichen
- EP21809313
- Anmeldetag
- 11. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2024
- Erteilung
- 15. Mai 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B29C48/08B29C43/44H05K1/03H05K3/00// B29C48/07
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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