Gleichzeitiges Füllen von Einzel-Damaszener-Kontakt zu Gate- und Graben-Kontaktlöchern mit Barrierenloser Selektiver Metallisierung mit Niedrigem Widerstand

EP4156240 Art A1 29. März 2023

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4156240
Aktenzeichen: EP22197314
Anmeldetag: 23. September 2022
Veröffentlichung: 29. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/522H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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