Harzgekapseltes Halbleitergehäuse mit einer Äusseren Aussparung mit Freiliegenden Elektrischen Kontakten und ein Halbleitermodul, das Dieses Enthält
EP4156253
Art A1
29. März 2023
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4156253
- Aktenzeichen
- EP21198257
- Anmeldetag
- 22. September 2021
- Veröffentlichung
- 29. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/48H01L23/49H01L23/31H01L23/495H05K3/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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