Dünnfilmtransistoren mit Mehrschichtigen Gate-Dielektrikum-Strukturen, die mit 2D-Kanalmaterialien Integriert Sind

EP4156303 Art A1 29. März 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4156303
Aktenzeichen: EP22197324
Anmeldetag: 23. September 2022
Veröffentlichung: 29. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/423H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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