Speicherarrays mit Strings von Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung eines Speicherarrays mit Strings von Speicherzellen
EP4162529
Art A1
12. April 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4162529
- Aktenzeichen
- EP21817701
- Anmeldetag
- 13. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 12. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11575H01L27/11568H01L27/11578H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg