Herstellungsverfahren für Sic-Halbleiterelement und Sic-Halbleiterelement
EP4163955
Art B1
4. Dezember 2024
Anmelder: Kyoto University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4163955
- Aktenzeichen
- EP21817045
- Anmeldetag
- 27. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2024
- Erteilung
- 4. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51H01L21/3065// H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyoto University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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