Qfn-Gehäuse für Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4163967
Art A1
12. April 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4163967
- Aktenzeichen
- EP22197358
- Anmeldetag
- 23. September 2022
- Veröffentlichung
- 12. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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