Heteroepitaxiales Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Heteroepitaxialen Halbleiterbauelements
EP4167269
Art A1
19. April 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4167269
- Aktenzeichen
- EP21202841
- Anmeldetag
- 15. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 19. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02// H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank