Verfahren und Vorrichtungen mit Reduzierten Defekten in Verbindungshöckern zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat (einem Gehäusesubstrat oder einem Weiteren Chip)

EP4167278 Art A3 28. Juni 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4167278
Aktenzeichen: EP22197135
Anmeldetag: 22. September 2022
Veröffentlichung: 28. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/485H01L23/538H01L21/60// H01L21/603

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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