Trench-Gate-Metalloxidhalbleiter Feldeffekttransistor (mosfet) sowie Zugehöriges Verfahren zur Herstellung
EP4170728
Art A1
26. April 2023
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4170728
- Aktenzeichen
- EP21203891
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 26. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L27/02H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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