Halbleiterbauelement mit Verlustarmer Wellenleiterschnittstelle und Verfahren dafür
EP4170819
Art B1
17. September 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4170819
- Aktenzeichen
- EP22198295
- Anmeldetag
- 28. September 2022
- Veröffentlichung
- 17. September 2025
- Erteilung
- 17. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01Q1/22H01Q13/06H01Q19/10H01Q21/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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