Oxidfeld-Grabenleistungs-Mosfet mit einer Substratkonfiguration mit mehreren Epitaktischen Schichten

EP4174954 Art A1 3. Mai 2023

Anmelder: STMicroelectronics Pte Ltd. 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4174954
Aktenzeichen: EP22204221
Anmeldetag: 27. Oktober 2022
Veröffentlichung: 3. Mai 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L29/78H01L29/40H01L21/02H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇸🇬 Singapur

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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