Verfahren zur Integration einer Iii-V-Komponente auf Silizium und auf Silizium Integrierte Iii-V-Komponente

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4178051

Aktenzeichen

EP22206233

Anmeldetag

8. November 2022

Veröffentlichung

15. Mai 2024

Erteilung

15. Mai 2024

Rechtsraum

EP

IPC

H01S5/02H01S5/024H01S5/026H01S5/028H01S5/042H01S5/10

Abstract

L'invention porte sur un procédé d'intégration sur silicium d'un composant (23) III-V, comprenant les étapes suivantes : - Fournir un premier substrat (1) comprenant une couche optique (122) à base de silicium, comprenant un guide d'onde (120), - Reporter un deuxième substrat (2) à base de matériau III-V sur la couche optique (122), - Former le composant III-V (23) à partir dudit deuxième substrat (2), de sorte à permettre un couplage entre le guide d'onde (120) et ledit composant III-V (23), et en conservant une couche (221) à base de matériau III-V s'étendant latéralement, - Former par épitaxie à partir de ladite couche (221), une structure (24) à base d'InP:Fe bordant latéralement le composant III-V (23), - Former une couche (250) comprenant des contacts (251, 252) destinés à contacter le composant III-V (23), - Reporter un troisième substrat (3) à base de silicium sur ladite couche (250) comprenant les contacts III-V.

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
THALES
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete