Dünnschichttransistor, Dünnschichttransistoranordnung und Dünnschichttransistorherstellungsverfahren
EP4181214
Art A1
17. Mai 2023
Anmelder: TOPPAN INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4181214
- Aktenzeichen
- EP21837601
- Anmeldetag
- 5. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/316H01L21/318H01L21/336H01L21/363H01L27/12H01L29/423H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOPPAN INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toppan Printing
Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.
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Plasseraud IP · Paris