Auf Verspanntem Halbleiter auf Isolator (ssoi) Basierende Gate-All-Around (gaa)-Transistorstrukturen

EP4187611 Art A1 31. Mai 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4187611
Aktenzeichen: EP22203652
Anmeldetag: 25. Oktober 2022
Veröffentlichung: 31. Mai 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L21/336H01L29/775H01L29/423H01L29/78// B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von