Verfahren zur Herstellung eines Halbleitervorrichtungsmoduls unter Verwendung eines Reaktiven Bandes und eines Halbleitervorrichtungsmoduls

EP4195240 Art A1 14. Juni 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4195240
Aktenzeichen: EP21214050
Anmeldetag: 13. Dezember 2021
Veröffentlichung: 14. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/50H01L23/053H01L23/10H01L23/24H01L25/07// H01L21/54

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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