Halbleiterbauelement mit Offenem Hohlraum und Herstellungsverfahren dafür
EP4195241
Art A3
21. Juni 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4195241
- Aktenzeichen
- EP22207770
- Anmeldetag
- 16. November 2022
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/31H01L23/498H01L23/538H01L25/065H01L25/16H01L25/00// H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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