Verfahren zur Herstellung eines Photonischen Chips

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4198587

Aktenzeichen

EP22210320

Anmeldetag

29. November 2022

Veröffentlichung

6. März 2024

Erteilung

6. März 2024

Rechtsraum

EP

IPC

G02B6/122G02B6/13G02B6/132G02B6/136// G02B6/12

Abstract

Ce procédé comporte la fabrication d'un premier guide d'onde en nitrure de silicium stoechiométrique, d'un second guide d'onde en matériau semi-conducteur cristallin et d'au moins un composant actif optiquement couplé au premier guide d'onde par l'intermédiaire du second guide d'onde. Ce procédé comporte :a) la formation (128) d'une ouverture qui traverse une couche d'encapsulation du premier guide d'onde et débouche dans ou sur un substrat en silicium monocristallin, puisb) le dépôt (132) par croissance épitaxiale d'un matériau de germination cristalline à l'intérieur de l'ouverture jusqu'à ce que ce matériau de germination cristalline forme un germe cristallin sur une face supérieure de la couche d'encapsulation, puisc) une épitaxie latérale (136), d'un matériau semi-conducteur cristallin à partir du germe cristallin formé pour former une couche en matériau semi-conducteur cristallin dans laquelle le second guide d'onde est ensuite réalisé.

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete