Verfahren zur Herstellung von Bipolartransistoren mit Nichtselektiver Basisepitaxie

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4199064

Aktenzeichen

EP21215189

Anmeldetag

16. Dezember 2021

Veröffentlichung

25. Juni 2025

Erteilung

25. Juni 2025

Rechtsraum

EP

IPC

H10D84/01H10D84/03H10D84/60H10D10/80H10D62/17H10D10/01// H10D84/40

Abstract

Die Erfindung betrifft Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von Hochgeschwindigkeits (HS-npn)- und Hoch-Volt (HV-npn)-SiGe-Heterobipolartransistoren, mittels nichtselektiver Basisabscheidung, deren Kollektorgebiet seitlich von STI umschlossen ist und die über eine selbstjustierte Basis-Emitter-Anordnung sowie epitaktisch verstärkte Basisanschlussgebiete verfügen. Einige Aspekte der Erfindung umfassen Prozessfolgen, die zu verbesserten Eigenschaften der HV-Transistoren führen. Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung beinhaltet die Ersetzung einzelner Siliziumdioxid-Schichten durch Isolator-Schichtkombinationen. Unter Ausnutzung der Ätzratenunterschiede unterschiedlicher Oxid-Arten bei nasschemischer Behandlung gelingt es, laterale Abmessungen der Emitter- bzw. Kollektorfenster zu verringern und damit das Hochfrequenzverhalten zu verbessern. Gleichzeitig werden diese Möglichkeiten eingesetzt, um für die elektrischen Eigenschaften günstige Formen der Isolatorseitenwände am Emitter- bzw. Kollektorfenster zu gestalten. Ein anderer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf die Strukturierung der Emitter-Poly-Silizium-Schicht mit Hilfe eines darüber liegenden Vierschichtstapels, der es ermöglicht, auch bei variabler Höhe des Emitter-Poly-Siliziums die laterale und vertikale Dicke der Verkapselung des Emitters unabhängig voneinander den Erfordernissen anzupassen und zugleich eine schadensfreie Entfernung der Hilfsschichten sicherzustellen. Eine nächste Ausführung der Erfindung berührt die Einbringung von Dotierstoff in das externe Basisgebiet. Abweichend vom üblichen Vorgehen wird hier zusätzlich eine spezielle Implantation der externen Basisgebiete vor deren epitaktischer Verstärkung vorgenommen. Die Kollektorgebiete der HS und HV Transistoren werden mittels unterschiedliche selektiv implantierte, SIC, Implantationen unabhängig von einander optimiert.

Anmelder

Firmen

IHP GmbH - Leibniz Institute for High Performance Microelectronics/ Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete