Hochleistungs-Eingangspuffer und Speichervorrichtung damit
EP4200850
Art A1
28. Juni 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4200850
- Aktenzeichen
- EP21935535
- Anmeldetag
- 7. April 2021
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C16/08G11C16/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank