Taktsignalrückführungsschema zum Lesen von Daten im Seitenpuffer einer Speichervorrichtung
EP4200851
Art B1
4. Juni 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4200851
- Aktenzeichen
- EP21938306
- Anmeldetag
- 28. April 2021
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2025
- Erteilung
- 4. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/22G11C7/10G11C16/04G11C16/26G11C16/32H10B41/27H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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