Periphere Speicherschaltung mit Dreidimensionalen Transistoren und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4200909 Art A1 28. Juni 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4200909
Aktenzeichen
EP21941513
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
28. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
B82Y10/00H10B43/27H10B43/40H10B43/50G11C5/02G11C5/04G11C5/06G11C16/26H01L23/00H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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