Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Verfahren zur Formung davon

EP4201164 Art A1 28. Juni 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4201164
Aktenzeichen
EP21947510
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
28. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10B69/00H10B43/40H10B43/50G11C16/08G11C16/04G11C16/24H01L23/00H01L25/18// H10B43/27
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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