Speicher, Betriebsverfahren dafür und Speichersystem

EP4202938 Art A1 28. Juni 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4202938
Aktenzeichen
EP21955369
Anmeldetag
30. August 2021
Veröffentlichung
28. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/16G11C16/26G11C8/12G11C16/34G11C16/32G11C5/02G11C29/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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