Integrierte Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Source- oder Drain-Strukturen mit Wiederaufgewachsenen Zentralen Teilen
EP4202980
Art A1
28. Juni 2023
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4202980
- Aktenzeichen
- EP22208162
- Anmeldetag
- 17. November 2022
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/423H01L29/775H01L29/06H01L29/08H01L29/165H01L29/78H01L21/8238// B82Y10/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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