Integrierte Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Source- oder Drain-Last-Strukturen
EP4203060
Art A1
28. Juni 2023
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4203060
- Aktenzeichen
- EP22214320
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/423H01L21/336H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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