Systeme und Verfahren zur Überwachung von Leckstrom

EP4206701 Art B1 5. November 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4206701
Aktenzeichen
EP22216330
Anmeldetag
23. Dezember 2022
Veröffentlichung
5. November 2025
Erteilung
5. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G01R31/26G01R31/27G01R31/52G11C27/02
Offizieller Volltext

Abstract

A system (200) to monitor a MOSFET (102), the system including a switching arrangement (202) configured to switchably isolate a gate terminal (102G) of the MOSFET (102) and a source terminal (102S) of the MOSFET (102) from a gate-control voltage source ((104) and a test circuit (204) configured to detect a change in a gate-to-source voltage of the MOSFET (102) over a test period, the test period occurring while the gate terminal (102G) and the source terminal (102S) are isolated.

Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Kanzlei
Buzzi, Notaro & Antonielli d'Oulx S.p.A Torino, Italien

Buzzi, Notaro & Antonielli d'Oulx wurde 1992 in Turin gegründet und zählt zu Italiens zehn größten IP-Kanzleien, als vollumfängliche, kosteneffiziente Beraterin für nationale wie internationale Mandate vor EPA und EUIPO.

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