Diode mit Kontaktstruktur mit Verbesserter Barrierenregion und Zugehöriges Herstellungsverfahren

EP4210115 Art A1 12. Juli 2023

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4210115
Aktenzeichen: EP22212787
Anmeldetag: 12. Dezember 2022
Veröffentlichung: 12. Juli 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/861H01L29/45H01L21/329H01L29/06H01L29/08// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.r.l.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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