Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Unterteilten Drain-Select-Gate-Leitungen und Verfahren zur Herstellung davon
EP4218056
Art B1
30. April 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4218056
- Aktenzeichen
- EP21943331
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 30. April 2025
- Erteilung
- 30. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/35H10B41/27H10B43/27H10B43/10H10B43/50// H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank