Verfahren zur Abscheidung einer Spannungsrelaxierten Gradierten Pufferschicht aus Silizium-Germanium auf einer Oberfläche eines Substrats
EP4220686
Art B1
10. Juli 2024
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4220686
- Aktenzeichen
- EP22154292
- Anmeldetag
- 31. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2024
- Erteilung
- 10. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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