Transistor mit Breiter Bandlücke mit Nanolaminierter Isolierender Gate-Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit Breiter Bandlücke

EP4220734 Art B1 20. November 2024

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4220734
Aktenzeichen: EP23152421
Anmeldetag: 19. Januar 2023
Veröffentlichung: 20. November 2024
Erteilung: 20. November 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/51H01L29/16H01L21/04H01L21/28H01L29/20H01L29/778H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.r.l.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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