Speichervorrichtung und Betrieb davon

EP4222745 Art B1 12. Februar 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4222745
Aktenzeichen
EP21944416
Anmeldetag
14. Dezember 2021
Veröffentlichung
12. Februar 2025
Erteilung
12. Februar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/08G11C16/26G11C11/56// G11C16/30G11C16/32G11C16/04H10B43/27
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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