Hochleistungsmodulgehäusestrukturen

EP4224520 Art A1 9. August 2023

Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4224520
Aktenzeichen
EP22217224
Anmeldetag
29. Dezember 2022
Veröffentlichung
9. August 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/373H01L23/433H01L23/495
Offizieller Volltext

Abstract

A method includes disposing a first direct bonded metal (DBM) substrate substantially parallel to a second DBM substrate a distance apart to enclose a space. The method further includes disposing at least a semiconductor die in the space, and bonding the semiconductor die to the first DBM substrate using a first adhesive layer without an intervening spacer block between the semiconductor die and the first DBM substrate, and bonding the semiconductor die to the second DBM substrate using a second adhesive without an intervening spacer block between the semiconductor die and the second DBM substrate.

Anmelder

Firma
Semiconductor Components Industries, LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Semiconductor Components Industries

Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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