Ätzgas, Ätzverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements

EP4231332 Art A1 23. August 2023

Anmelder: Resonac Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4231332
Aktenzeichen
EP21880007
Anmeldetag
8. Oktober 2021
Veröffentlichung
23. August 2023
Rechtsraum
EP
IPC
C09K13/00H01L21/3065H01L21/3213H01L21/311
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Resonac Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

794 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen