Verfahren zur Selbstjustierten Herstellung eines Trench-Gate-Mos-Transistors und Abgeschirmter Gate-Mos-Transistor

EP4231361 Art B1 9. April 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Pte Ltd. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4231361
Aktenzeichen: EP23157224
Anmeldetag: 17. Februar 2023
Veröffentlichung: 9. April 2025
Erteilung: 9. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L21/336H01L29/10// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

2.340 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

4.265 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von