Verfahren zur Selbstjustierten Herstellung eines Trench-Gate-Mos-Transistors und Abgeschirmter Gate-Mos-Transistor

EP4231361 Art B1 9. April 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Pte Ltd. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4231361
Aktenzeichen: EP23157224
Anmeldetag: 17. Februar 2023
Veröffentlichung: 9. April 2025
Erteilung: 9. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L21/336H01L29/10// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Pte Ltd.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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