Verfahren zum Lesen eines Dreidimensionalen Flash-Speichers

EP4236650 Art B1 14. Mai 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4236650
Aktenzeichen
EP23181351
Anmeldetag
23. Oktober 2019
Veröffentlichung
14. Mai 2025
Erteilung
14. Mai 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/34G11C16/04G11C11/56G11C16/08G11C16/32H10B41/10H10B41/27H10B43/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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