Mos-Transistor auf Soi-Struktur

EP4243061 Art A1 13. September 2023

Anmelder: STMicroelectronics France, STMicroelectronics Crolles 2 SAS, STMICROELECTRONICS SA 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4243061
Aktenzeichen: EP23160299
Anmeldetag: 6. März 2023
Veröffentlichung: 13. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L29/78H01L23/532H01L23/528H01L23/535H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics France
STMicroelectronics Crolles 2 SAS
STMICROELECTRONICS SA
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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