Nanofolientransistoren mit Reduziertem Source-/drain-Widerstand und Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP4243078
Art A1
13. September 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4243078
- Aktenzeichen
- EP23159748
- Anmeldetag
- 2. März 2023
- Veröffentlichung
- 13. September 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L21/8234H01L21/8238H01L29/08H01L29/417H01L21/336H01L29/775H01L29/45H01L21/822H01L27/06H01L27/092H01L27/12H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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